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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

NTMFS4852NT3G 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin SO-FL T/R

内部编号

277-NTMFS4852NT3G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:0
最小起订量:1
美国加州
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#2

数量:9998
最小起订量:1
加拿大温哥华
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#3

数量:9998
最小起订量:1
加拿大温哥华
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

NTMFS4852NT3G产品详细规格

规格书 NTMFS4852NT3G datasheet 规格书
NTMFS4852NT3G datasheet 规格书
NTMFS4852N
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 16A
Rds(最大)@ ID,VGS 2.1 mOhm @ 30A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 71.3nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4970pF @ 12V
功率 - 最大 900mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
供应商器件封装 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 8SO-FL
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 30 V
最大连续漏极电流 40 A
RDS -于 2.1@10V mOhm
最大门源电压 ±20 V
典型导通延迟时间 21.1 ns
典型上升时间 25.6 ns
典型关闭延迟时间 35 ns
典型下降时间 12 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
最大门源电压 ±20
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 DFN
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 2.1@10V
最大漏源电压 30
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 SO-FL
最大功率耗散 5950
最大连续漏极电流 40
引脚数 8
铅形状 Flat
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 16A (Ta), 155A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.5V @ 250µA
封装/外壳 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
供应商设备封装 6-DFN, 8-SO Flat Lead (5x6)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 2.1 mOhm @ 30A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 900mW
漏极至源极电压(Vdss) 30V
输入电容(Ciss ) @ VDS 4970pF @ 12V
闸电荷(Qg ) @ VGS 71.3nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
类别 Power MOSFET
配置 Quad Drain, Single, Triple Source
外形尺寸 5.1 x 6.1 x 1.1mm
身高 1.1mm
长度 5.1mm
最大漏源电阻 3.3 mΩ
最高工作温度 +150 °C
最大功率耗散 2.31 W
最低工作温度 -55 °C
包装类型 SO-8FL
典型栅极电荷@ VGS 34.3 nC V @ 4.5
典型输入电容@ VDS 4970 pF V @ 12
宽度 6.1mm
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 30 V
晶体管极性 N-Channel
系列 NTMFS4852N
品牌 ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current 155 A
安装风格 SMD/SMT
通道数 1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 2.1 mOhms
技术 Si
associated 7SA
IR4426SPBF
ICK SMD A 5 SA
3209885-M

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